(812) 441-36-38
(495) 755-93-29

Кремниевые устройства электростатической защиты SESD

Серия SESD используется для защиты в мобильных телефонах, портативной электронике, LCD и плазменных телевизорах; а также для защиты портов HDMI 1.3 / 1.4, USB 2.0 / 3.0, DisplayPort и других высокоскоростных цифровых и низковольтных антенных интерфейсов. Обладая малой емкостью, они проходят испытания IEC61000-4-2 (уровень 4), даже после многократных разрядов (до 1000) и обладают более низким напряжением переключения и удержания, чем традиционные PESD устройства.

Элемент SESD0201C-006-058 является двунаправленным устройством с ультра-малой емкостью 0.6 пикофарад(пФ), что делает его применимым для защиты высокоскоростных линий передачи данных, таких как USB и HDMI, а также низковольтных антенных портов. Ультра-малая емкость, малые вносимые потери (<0,5дБ вплоть до 3ГГц), высокая линейность зависимости “емкость - частота” позволяют минимизировать искажение сигнала.

Элемент SESD0201C-120-058 более высокой емкости (12 пФ) предназначен для использования в низкоскоростных интерфейсах – клавиатурах, кнопках питания, динамиках и микрофонных портах в портативной электронике. Оба устройства, SESD0201C-006-058 и SESD0201C-120-058, осуществляют защиту от 8кВ контактного разряда и 15кВ воздушного разряда в соответствии с IEC61000-4-2 (уровень 4).

Также в линейку продуктов входит элемент SESD0402S-005-054, устройство с ультра-низкой емкостью размера 0402 (SOD-923) с емкостью 0,5пФ. Элемент осуществляет защиту 10кВ контактного разряда по 4 уровню IEC61000-4-2 и может быть использован в цифровых применениях, таких как USB или HDMI.


Преимущества:
  • Защитные диоды SESD малого размера для высокоскоростных сигналов
  • Защита по статике в портативной электронике и мобильных телефонах
  • Защита электронных цепей от ущерба в случае электростатического разряда
  • Помогает оборудованию проходить испытания IEC61000-4-2 (4 уровень)


Характеристики:
  • RoHS-совместимы
  • Не содержат галоген (Br ≤ 900ppm(частей на миллион), Cl ≤ 900ppm, Br+Cl ≤ 1500ppm)
  • Низкий ток утечки – 1.0мкА (макс)
  • Напряжение пробоя - 5.8В
  • Выдерживают многочисленные электростатические разряды
  • Низкая емкость и вносимые потери
  • Огнестойкий материал корпуса SOD-923 (уровень UL-94V-0)
  • Устройство SESD0402S соответствует требованиям MSL-1


Применения:
  • Мобильные телефоны и портативная электроника
  • Высокоскоростные линии данных (0201 и 0402-элементы с низкой емкостью)
  • Низковольтные антенные порты (двунаправленный 0201-элемент)
  • USB 2.0 / 3.0, HDMI 1.3 / 1.4 и DisplayPort
  • Миниатюрные изделия, нуждающиеся в электростатической защите

Кликните сюда, чтобы скачать или посмотреть описание всей серии SESD целиком.
Кликните сюда, чтобы скачать или посмотреть описание серии PESD.

Электрические характеристики элементов SESD
 

Одноканальные SESD

Серия Form Factor (mm) Form Factor (inches) Input Capacitance (typ) Vr = 0V, f = 1MHz
SESD0201P1BN-0400-090 0603 0201 4 pF
SESD0402P1BN-0450-090 1005 0402 4.5 pF


Многоканальные SESD


Серия Form Factor (mm) Form Factor (inches) Input Capacitance (typ) @ Vr = 0V, f = 3GHz Reverse Leakage Current, IL @ VRWM = 5.0V (max) Breakdown Voltage (typ) Vbr @ t = 1mA Working Reverse Voltage (peak) VRWM Clamping Voltage (typ) @ Ipp=2A, tp=(8/20µs) Industry
SESD0201X1BN-0010-098 0603 0201 0.1 pF 50 nA +9.80 / -9.80 V +7.0 V +10.0 / -10.0 V Circuit Protection Devices
SESD0201X1UN-0020-090 0603 0201 0.2 pF 50 nA +9.00 / -0.80 V +7.0 V +9.00 / -0.80 V Circuit Protection Devices
SESD0402Q2UG-0020-090 1005 0402 0.2 pF 50 nA +9.00 / -0.80 V +7.0 V +9.20 / -0.80 V Circuit Protection Devices
SESD0402X1BN-0010-098 1005 0402 0.1 pF 50 nA +9.80 / -9.80 V +7.0 V +10.0 / -10.0 V Circuit Protection Devices
SESD0402X1UN-0020-090 1005 0402 0.2 pF 50 nA +9.00 / -0.80 V +7.0 V +9.20 / -0.80 V Circuit Protection Devices
SESD0802Q4UG-0020-090 2006 0802 0.2 pF 50 nA +9.00 / -0.80 V +7.0 V +9.20 / -0.80 V Circuit Protection Devices
SESD1004Q4UG-0020-090 2510 1004 0.2 pF 50 nA +9.00 / -0.80 V +7.0 V +9.20 / -0.80 V Circuit Protection Devices
SESD1103Q6UG-0020-090 2808 1103 0.2 pF 50 nA +9.00 / -0.80 V +7.0 V +9.20 / -0.80 V Circuit Protection Devices



Серия Form Factor (mm) Form Factor (inches) Clamping Voltage (typ) @ Ipp=2.5A, tp=(8/20µs) Input Capacitance (typ) @ Vr = 0V, f = 3GHz Reverse Leakage Current, IL @ VRWM = 5.0V (typ) Working Reverse Voltage (typ) Breakdown Voltage (typ) Vbr @ t = 1mA
SESD0201X1BN-0015-096 0603 0201 +14.0 V 0.15 pF 25 nA 7.0 V +9.60 / -9.60 V
SESD0201X1UN-0030-088 0603 0201 +13.0 V 0.3 pF 25 nA 7.0 V +8.80 / -0.80 V
SESD0402Q2UG-0030-088 1005 0402 +13.0 V 0.3 pF 25 nA 7.0 V +8.80 / -0.80 V
SESD0402X1BN-0015-096 1005 0402 +14.0 V 0.15 pF 25 nA 7.0 V +9.60 / -9.60 V
SESD0402X1UN-0030-088 1005 0402 +13.0 V 0.3 pF 25 nA 7.0 V +8,80 / -0.80 V
SESD1004Q4UG-0030-088 2510 1004 +13.0 V 0.3 pF 25 nA 7.0 V +8,80 / -0.80 V


 
Все элементы соответствуют стандартам RoHS/ELV
 
Система обозначений элементов SESD